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与此同时，该设备采用SATA 3.0接口规范，搭载三星V-NAND TLC闪存技术。配备8GB LPDDR4独立缓存，持续读写速度最高分别可达560MB/s与530MB/s，总写入寿命达到4800TB。
权威机构的研究数据证实，这一领域的技术迭代正在加速推进，预计将催生更多新的应用场景。
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